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TISP1xxxF3 Overvoltage Protector Series
Typical Characteristics - R and T Terminals
OFF-STATE CURRENT
vs
BREAKDOWN VOLTAGES
vs
100
JUNCTION TEMPERATURE
TC1LAN
90.0
JUNCTION TEMPERATURE
TC1LAM
V D = ± 50 V
I (BR) = 1 mA
V (BO)
10
1
80.0
'1082F3
V (BR)M
V (BR)
0.1
70.0
V (BO)
0.01
0.001
60.0
'1072F3
V (BR)M
V (BR)
-25
0
25
50
75
100
125
150
-25
0
25
50
75
100
125
150
T J - Junction Temperature - ° C
Figure 14.
HOLDING CURRENT & BREAKOVER CURRENT
vs
T J - Junction Temperature - ° C
Figure 15.
NORMALIZED BREAKOVER VOLTAGE
vs
1.0
0.9
JUNCTION TEMPERATURE
TC1LAO
2.0
RATE OF RISE OF PRINCIPLE CURRENT
TC1LAI
0.8
0.7
0.6
1.9
1.8
0.5
0.4
I (BO)
1.7
1.6
0.3
0.2
0.1
0.09
I H
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
0.08
0.07
-25
0
25
50
75
100
125
150
1.0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Junction Temperature - ° C
Figure 16.
di/dt - Rate of Rise of Principle Current - A/ μ s
Figure 17.
SEPTEMBER 1993 - REVISED SEPTEMBER 2008
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
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